半导体器材类型由五部分（场效应器材、半导体特别器材、复合管、PIN型管、激光器材的类型命名只要第三、四、五部分）组成。五个部分含义如下：
第二部分：用汉语拼音字母表明半导体器材的资料和极性。表明二极管时：A－N型锗资料、B－P型锗资料、C－N型硅资料、D－P型硅资料。表明三极管时：A－PNP型锗资料、B－NPN型锗资料、C－PNP型硅资料、D－NPN型硅资料。
第三部分：用汉语拼音字母表明半导体器材的内型。P－一般管、V－微波管、W－稳压管、C－参量管、Z－整流管、L－整流堆、S－地道管、N－阻尼管、U－光电器材、K－开关管、X－低频小功率管（F3MHz，Pc1W）、A－高频大功率管（f＞3MHz，Pc＞1W）、T－半导体晶闸管（可控整流器）、Y－体效应器材、B－雪崩管、J－阶跃康复管、CS－场效应管、BT－半导体特别器材、FH－复合管、PIN－PIN型管、JG－激光器材。
榜首部分：用数字表明器材有用电极数目或类型。0－光电（即光敏）二极管三极管及上述器材的组合管、1－二极管、2三极或具有两个pn结的其他器材、3－具有四个有用电极或具有三个pn结的其他器材、┄┄依此类推。
第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S－表明已在日本电子工业协会JEIA注册挂号的半导体分立器材。
第三部分：用字母表明器材运用资料极性和类型。A－PNP型高频管、B－PNP型低频管、C－NPN型高频管、D－NPN型低频管、F－P操控极可控硅、G－N操控极可控硅、H－N基极单结晶体管、J－P沟道场效应管、K－N 沟道场效应管、M－双向可控硅。
第四部分：用数字表明在日本电子工业协会JEIA挂号的顺序号。两位以上的整数－从“11”开端，表明在日本电子工业协会JEIA挂号的顺序号；不同公司的功能相同的器材可以正常的运用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
第五部分：用字母表明同一类型的改善型产品标志。A、B、C、D、E、F表明这一器材是原类型产品的改善产品。
榜首部分：用符号表明器材用处的类型。JAN－军级、JANTX－特军级、JANTXV－超特军级、JANS－宇航级、（无）－非军用品。
第二部分：用数字表明pn结数目。1－二极管、2＝三极管、3－三个pn结器材、n－n个pn结器材。
第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。N－该器材已在美国电子工业协会（EIA）注册挂号。
第四部分：美国电子工业协会挂号顺序号。多位数字－该器材在美国电子工业协会挂号的顺序号。
第五部分：用字母表明器材分档。A、B、C、D、┄┄－同一类型器材的不同档别。如：JAN2N3251A表明PNP硅高频小功率开关三极管，JAN－军级、2－三极管、N－EIA 注册标志、3251－EIA挂号顺序号、A－2N3251A档。
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都选用世界电子联合会半导体分立器材类型命名办法。这种命名办法由四个根本部分所组成，各部分的符号及含义如下：
榜首部分：用字母表明器材运用的资料。A－器材运用资料的禁带宽度Eg＝0．6～1．0eV 如锗、B－器材运用资料的Eg＝1．0～1．3eV 如硅、C－器材运用资料的Eg＞1．3eV 如砷化镓、D－器材运用资料的Eg＜0．6eV 如锑化铟、E－器材运用复合资料及光电池运用的资料
第二部分：用字母表明器材的类型及主要特征。A－检波开关混频二极管、B－变容二极管、C－低频小功率三极管、D－低频大功率三极管、E－地道二极管、F－高频小功率三极管、G－复合器材及其他器材、H－磁敏二极管、K－敞开磁路中的霍尔元件、L－高频大功率三极管、M－关闭磁路中的霍尔元件、P－光敏器材、Q－发光器材、R－小功率晶闸管、S－小功率开关管、T－大功率晶闸管、U－大功率开关管、X－倍增二极管、Y－整流二极管、Z－稳压二极管。
第三部分：用数字或字母加数字表明挂号号。三位数字－代表通用半导体器材的挂号序号、一个字母加二位数字－表明专用半导体器材的挂号序号。
第四部分：用字母对同一类类型器材进行分档。A、B、C、D、E┄┄－表明同一类型的器材按某一参数进行分档的标志。
1、稳压二极管类型的后缀。其后缀的榜首部分是一个字母，表明安稳电压值的容许差错规模，字母A、B、C、D、E别离表明容许差错为±1％、±2％、±5％、±10％、±15％；其后缀第二部分是数字，表明标称安稳电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称安稳电压的小数值。
3、晶闸管类型的后缀也是数字，一般标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。
如：BDX51－表明NPN硅低频大功率三极管，AF239S－表明PNP锗高频小功率三极管。
第二部分：A－二极管、C－三极管、AP－光电二极管、CP－光电三极管、AZ－稳压管、RP－光电器材。
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